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ST在日本尖端科技展展示最新传感器和功率半导体

意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）将亮相2013年日本尖端科技展（TECHNO-FRONTIER）。届时，在第1D-201号意法半导体展台上，参观者将会看到多种功率和传感器的应用演示和开发板。半导体功率解决方案有助于提高能源使用效率，传感器解决方案可提高用户的使用体验，增...

功率半导体

时间：2013-07-17

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赛晶投资7.5亿美元，IGBT功率半导体项目落户嘉善

7月16日，浙江嘉善举行了IGBT功率半导体项目及IGBT技术研发中心签约仪式。

赛晶 IGBT 功率半导体

时间：2019-07-18

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英飞凌300毫米薄晶圆功率半导体取得突破

英飞凌科技股份公司已在生产基于300毫米薄晶圆的功率半导体方面取得了重大突破。今年2月，从奥地利费拉赫工厂的300毫米生产线走下来的英飞凌CoolMOS?家族产品，得到了第一批客户的首肯。从始至终，基于这项新技术的...

英飞凌 功率半导体 晶圆

时间：2013-02-26

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成本下降是必然 SiC MOSFET将抢占IGBT市场

传统的硅功率器件，由于价格低廉与开发时间较早，已在各种电力电子系统中广泛应用。

功率半导体  代传统硅器

时间：2018-09-25

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功率半导体拥抱电动汽车“芯”机遇的两大要诀

近日，在第八届年度中国电子ICT媒体论坛暨2019产业和技术展望研讨会上，华虹宏力战略、市场与发展部科长李健以《电动汽车“芯”机遇》为题，阐述了汽车电动化下产业新机遇，以及华虹宏力为拥抱这波机遇所做的战略布局。从中，你我将得以管窥华虹宏力亮眼成绩背后的选择与努力。

华虹宏力 功率半导体 电动汽车

时间：2019-05-07

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东芝的三栅极 IGBT 功率半导体将开关功率损耗降低了 40.5%

东芝开发了一种原型三栅极 IGBT，可在用于控制电力的功率半导体中，在开启和关闭（开关损耗）（允许和停止电流的过程）时将总功率损耗降低多达 40.5%。

功率半导体

时间：2021-06-07

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功率半导体的广泛应用及前景趋势

功率半导体器件也叫电力电子器件，它的作用是进行功率处理的，是处理高电压、大电流的。

功率半导体 半导体 电压

时间：2018-10-30

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物联网推动电源效率提高实现超高电源效率和超低功耗

如果有人想开发“永动电池”，那么很可能电子工程师首先要把电源效率提高到远远高于当今的水平。但尽管人们在这一研究中做了大量投资，但这种电池还没有问世。

宽带隙器件 功率半导体 物联网

时间：2018-03-06

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大陆功率半导体高速成长,不过高端九成依赖进口

功率半导体分立器件为半导体行业的主要组成部分，更是发电、输电、变配电、用电、储能、家用电器、IT产品、网络通讯等领域的基础核心部件，因而功率半导体在人民生活和工业生产中得到广泛的应用，甚至随着物联网、云计算、新能源、节能环保等电子信息产业新领域的发展，中高阶的功率半导体器件也将迎来新一轮的发展高峰。

功率半导体 物联网 新能源

时间：2017-08-25

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Fairchild针对高速光伏逆变器和苛刻工业应用发布1200V SiC二极管

全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS)发布首个1200V碳化硅(SiC)二极管 ——FFSH40120ADN，纳入即将推出的SiC解决方案系列。1200V二极管凭借卓越的开关性能、更高的可靠性和较低的电磁干扰(EMI)，成为下一代光伏逆变器、工业电机...

功率半导体 控制器 碳化硅

时间：2016-03-22

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Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS)在2016年APEC上发布了新一代100V N沟道Power MOSFET旗舰产品——FDMS86181100V屏蔽栅极PowerTrench? MOSFET。FDMS86181是Fairchild新...

功率半导体 Fairchild

时间：2016-03-23

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SiC芯片市场将迎来大爆发市场需求突然激增

随着电动汽车以及其他系统的增长，碳化硅（SiC）功率半导体市场正在经历需求的突然激增。

SiC 功率半导体

时间：2018-09-26

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